Xotira

• 24LC64T-E

  Microchip Technology Inc. 24AA64/24LC64/ 24FC64 (24XX64*) 64 Kbit elektr o'chiriladigan PROM.

  Ko'proq o'qing
• SCB13H8G162BF

  SCB13H8G162BF

  Ko'proq o'qing
• MT41J256M16HA

  DDR3 SDRAM yuqori tezlikda ishlashga erishish uchun ikki tomonlama ma'lumotlar tezligi

  Ko'proq o'qing
• KLM8G1GETF-B041

  SAMSUNG eMMC - bu BGA to'plami shaklida ishlab chiqilgan o'rnatilgan MMC yechimi. eMMC ishlashi MMC

  Ko'proq o'qing
• IS42S16160G-7TLI

  ISSI ning 256 Mb Sinxron DRAM quvur liniyasi arxitekturasidan foydalangan holda yuqori tezlikda

  Ko'proq o'qing
• CAT24C512WI-GT3

  Tavsif CAT24C512 512 Kb seriyali CMOS EEPROM bo'lib, har biri 8 bitli 65 536 so'z sifatida ichki

  Ko'proq o'qing
• W25Q512JVEIQ

  W25Q512JV (512M-bit) Serial Flash xotirasi cheklangan joy, pin va quvvatga ega tizimlar uchun

  Ko'proq o'qing
• NT5CB256M16DP-FL

  4 Gb Double-Data-Rate-3 (DDR3(L)) DRAM 4 294 967 296 bitni o'z ichiga olgan yuqori tezlikdagi CMOS

  Ko'proq o'qing
• MT41K512M16HA-125_A

  DDR3L (1.35V) SDRAM DDR3 (1.5V) SDRAMning past kuchlanishli versiyasidir. 1,5 V mos keluvchi

  Ko'proq o'qing
• AM29F160DT

  Am29F160D 16 Mbit, 5.0 faqat voltli Flash xotira qurilmasi boʻlib, 2,097.152 bayt yoki 1.048.576

  Ko'proq o'qing
• 24FC% 7b{1}}I

  Microchip Technology Inc. 24AA512/24LC512/ 24FC512 (24XX512*) 64K x 8 (512 Kbit) seriyali elektr

  Ko'proq o'qing
• S34ML01G100TFI000}

  Cypress S34ML01G1, S34ML02G1 va S34ML04G1 seriyalari 3.3-V VCC quvvat manbai va ×8 yoki ×16

  Ko'proq o'qing