512 Mb SDRAM 512 Mbit ni o'z ichiga olgan yuqori tezlikdagi CMOS sinxron DRAM. U sinxron interfeysga ega 8M so'z x 16 DRAMning 4 ta banki sifatida ichki konfiguratsiya qilingan (barcha signallar soat signalining ijobiy chekkasida, CLKda qayd etilgan).

Xususiyatlari

AS4C32M16SB-7TIN SDRAM xotira chipi maʼlumotlarga tez va ishonchli kirish uchun moʻljallangan ilgʻor va yuqori unumdor xotira chipidir. Ushbu chip soatdan tez kirish vaqtiga ega, bu ma'lumotlarni tez va samarali o'qish va yozishni ta'minlaydi.

Ushbu xotira chipining asosiy xususiyatlaridan biri uning yuqori tezlikda ishlashiga imkon beruvchi 166/143 MGts tez tezligidir. Uning to'liq sinxron ishlashi ma'lumotlarning xotira chipi va protsessor o'rtasida juda samarali va ishonchli tarzda uzatilishini ta'minlaydi.

AS4C32M16SB-7TIN xotira chipining ichki quvurli arxitekturasi unga boshqa xotira chiplariga qaraganda ancha yuqori tezlikda ma'lumotlarni uzatish imkonini beradi. Bundan tashqari, ushbu chipda foydalanuvchining o'ziga xos talablarini qondirish uchun sozlanishi mumkin bo'lgan dasturlashtiriladigan rejim registrlari mavjud.

Bundan tashqari, chipda ma'lumotlarning xavfsiz va xavfsiz saqlanishini ta'minlaydigan avtomatik yangilash va o'z-o'zini yangilash funksiyalari mavjud. CKE quvvatni o'chirish rejimi quvvat sarfini kamaytirishga yordam beradigan yana bir xususiyatdir.

Umuman olganda, AS4C32M16SB-7TIN SDRAM xotira chipi tez kirish vaqti, tez soat tezligi, toʻliq sinxron ishlash, ichki quvurli arxitektura, dasturlashtiriladigan rejim registrlari, avtomatik yangilash, oʻz-oʻzini yangilash, va CKE quvvatni o'chirish rejimi. Ushbu chip yuqori ishonchli va samarali xotira chiplarini talab qiladigan ilovalar uchun ideal.